TLC，即TripleLevelCell，每個(gè)單元存儲(chǔ)3bit信息，因此其容量比MLC大三分之一，成本也更低盡管TLC的架構(gòu)更為復(fù)雜，寫入次數(shù)相對(duì)較少，通常為MLC的13，但經(jīng)過(guò)充分測(cè)試的TLC產(chǎn)品，正常使用5年以上并無(wú)問(wèn)題如今，大多數(shù)TLC固態(tài)硬盤采用SLC Cache緩存技術(shù)，以提高寫入速度，使得在某些情況下，其性能；1 SLC單層單元SLC以其單層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)成為成本最高的存儲(chǔ)顆粒它提供了最快的讀寫速度和最長(zhǎng)的使用壽命，每個(gè)存儲(chǔ)單元可承受高達(dá)10萬(wàn)次的擦寫然而，這種高性能和穩(wěn)定性伴隨著高昂的生產(chǎn)成本2 MLC多層單元MLC擁有兩層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其成本速度和壽命相較于SLC有所下降MLC的擦寫次數(shù)在30。

slcmlctlc閃存芯片顆粒區(qū)別介紹 1SLC = SingleLevel Cell ，即1bitcell，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格貴約MLC 3倍以上的價(jià)格，約10萬(wàn)次擦寫壽命2MLC = MultiLevel Cell，即2bitcell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000次擦寫壽命3TLC = TrinaryLevel Cell，即3bitcell；在固態(tài)硬盤內(nèi)部，NAND即閃存顆粒是一種非易失性存儲(chǔ)器，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，被大范圍運(yùn)用它幾乎占據(jù)了整個(gè)SSD制造成本的70%以上，不夸張地說(shuō)，選SSD實(shí)際是在選擇閃存顆粒先跟大家梳理一下SLCMLC及TLC三種閃存差異根據(jù)閃存顆粒中單元存儲(chǔ)密度的差異，閃存又分為SLCMLC及TLC三種類型，SLC單層；1 在硬盤的世界里，SLCMLC和TLC猶如三兄弟，各自擁有獨(dú)特的特性，塑造了不同的性能和價(jià)格層次2 SLCSingleLevel Cell以其1 bitcell的存儲(chǔ)單元，實(shí)現(xiàn)了極致的速度和卓越的耐用性它的讀寫速度快如閃電，壽命長(zhǎng)達(dá)驚人的約10萬(wàn)次擦寫然而，這種卓越性能的代價(jià)是價(jià)格高昂，是MLC的3倍以上；TLC = TrinaryLevel Cell，即3bitcell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約5001000次擦寫壽命MLC和TLC特性比較 結(jié)論SLC MLC TLC 目前大多數(shù)U盤都是采用TCL芯片顆粒，其優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格便宜，不過(guò)速度一般，壽命相對(duì)較短而SSD固態(tài)硬盤中，目前MLC顆粒固態(tài)硬盤是主流，其價(jià)格適中；SLCMLCTLC的固態(tài)硬盤主要有以下區(qū)別SLC固態(tài)硬盤具有出色的性能和壽命，但成本較高SLC即單層式儲(chǔ)存，每個(gè)存儲(chǔ)單元僅存儲(chǔ)1bit信息這種結(jié)構(gòu)使得SLC固態(tài)硬盤在讀寫速度數(shù)據(jù)穩(wěn)定性和質(zhì)量方面均表現(xiàn)出色，PE壽命可達(dá)到1萬(wàn)至10萬(wàn)次然而，由于其存儲(chǔ)容量相對(duì)較低，制造成本較高，因此SLC固態(tài)硬盤。

SLC存儲(chǔ)密度最低，每個(gè)存儲(chǔ)單元只存儲(chǔ)1比特?cái)?shù)據(jù)MLC存儲(chǔ)密度高于SLC，每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)2比特?cái)?shù)據(jù)TLC存儲(chǔ)密度最高，每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3比特?cái)?shù)據(jù)，是MLC的15倍壽命SLC壽命最長(zhǎng)，寫入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化區(qū)間小，耐用性高M(jìn)LC壽命在00次擦寫循環(huán)之間TLC壽命最短，一般在00次擦寫；TLC即Trinary Level Cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約5001000次擦寫壽命2硬件情況不同大多數(shù)U盤都是采用TCL芯片顆粒，其優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格便宜，不過(guò)速度一般，壽命相對(duì)較短而SSD固態(tài)硬盤中，MLC顆粒固態(tài)硬盤是主流，其價(jià)格適中，速度與壽命相對(duì)較好，而低價(jià)SSD固態(tài)硬盤普遍采用的是。

SLCMLC和TLC的主要區(qū)別如下存儲(chǔ)密度與容量SLC每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)1 bit數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度較低，但性能卓越MLC每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)2 bit數(shù)據(jù)相較于SLC，密度提高，性能和壽命適中TLC每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3 bit數(shù)據(jù)密度最高，成本最低，但壽命相對(duì)較短性能SLC讀寫速度最快，響應(yīng)時(shí)間極短，適。